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MOS管的基本參數(圖文)

時(shí)間:2019-01-21 17:01:47來(lái)源:不詳 作者:電子愛(ài)好者 點(diǎn)擊:次
MOS管的基本參數，大家熟悉的必然是Ids電流，Ron導通電阻，Vgs的閾值電壓，Cgs、Cgd、Cds這幾項，然而在高速應用中，開(kāi)關(guān)速度這個(gè)指標比較重要�！　∩蠄D四項指標，第一項是

MOS管的基本參數，大家熟悉的必然是Ids電流，Ron導通電阻，Vgs的閾值電壓，Cgs、Cgd、Cds這幾項，然而在高速應用中，開(kāi)關(guān)速度這個(gè)指標比較重要。


　　上圖四項指標，第一項是導通延時(shí)時(shí)間，第二項是上升時(shí)間，第三項是關(guān)閉延時(shí)時(shí)間，第四項是下降時(shí)間。定義如下圖：


　　在高速H橋應用中，MOS管內部的反向并聯(lián)寄生二極管的響應速度指標Trr，也就是二極管的反向恢復時(shí)間這個(gè)指標很重要，否則容易炸機，下圖為高速二極管。


　　高速下，二極管也不是理想的，二極管導通后，PN節中充滿(mǎn)了電子和空穴，當瞬間反向加電的時(shí)候，需要時(shí)間恢復截止，這個(gè)類(lèi)似一扇門(mén)打開(kāi)了，需要時(shí)間關(guān)上，但在高速下，這個(gè)關(guān)上的時(shí)間太長(cháng)，就會(huì )導致H橋上下管子導通而燒壞。所以在高速應用中，直接因為MOS管工藝寄生的二極管的反向恢復時(shí)間太長(cháng)，所以需要用特殊的工藝制作實(shí)現高速的內置二極管，但哪怕特殊工藝制作的，其性能也達不到獨立的高速二極管性能，只是比原MOS管寄生的指標強一些而已，但已經(jīng)滿(mǎn)足大部分軟開(kāi)關(guān)的需求了，500KHz下沒(méi)問(wèn)題。比如Infineon的C6系列，后綴帶CFD的管子，內部的二極管就是高速的。
　　若有些場(chǎng)合需要更高速的二極管，而內置的二極管性能達不到，則需要特殊的處理方式，MOS管先串聯(lián)二極管，再外部并二極管，這樣子實(shí)現，可以應用于頻率超過(guò)500KHz的場(chǎng)合。

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