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PW2308芯片，N溝道增強型MOSFET

時(shí)間:2021-01-14 16:37:18來(lái)源: 作者: 點(diǎn)擊:次
一般說(shuō)明
PW2308采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運行。該器件適合用作電池保護或其他開(kāi)關(guān)應用。
特征 VDS=60V，ID=5A
一般說(shuō)明
PW2308采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運行。該器件適合用作電池保護或其他開(kāi)關(guān)應用。
        特征
  • VDS=60V，ID=5A
  • RDS（開(kāi)）<38mΩ@VGS=10V
  • 提供3針SOT23-3封裝
應用
  • 電池保護
  • 負荷開(kāi)關(guān)
  • 自動(dòng)照明

絕對最大額定值（TA=25℃，除非另有說(shuō)明）

電氣特性（TA=25°C，除非另有說(shuō)明。）


 

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