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PW2319芯片P溝道增強型MOSFET

時(shí)間:2021-01-14 16:22:57來(lái)源: 作者: 點(diǎn)擊:次
一般說(shuō)明
PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（開(kāi)）<70m&Ome

一般說(shuō)明
PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（開(kāi)）<70mΩ@VGS=-10V
提供3針SOT23-3封裝
應用
電池保護
負荷開(kāi)關(guān)
不間斷電源

 

絕對最大額定值（TA=25℃，除非另有說(shuō)明）

電氣特性

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非常感謝用戶(hù)kuakewei 的投稿！

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