TDA2030功放電路圖 電動(dòng)車(chē)充電器電路圖 電子電路 功放電路 電子制作 集成塊資料 電子報 pcb 變壓器 元器件知識 逆變器電路圖 電路圖 開(kāi)關(guān)電源電路圖 傳感器技術(shù) led 電磁兼容
電子電路圖
當前位置: 首頁(yè) > 元器件知識

MOS管驅動(dòng)電路詳細分析(圖文)

時(shí)間:2019-02-14 10:35:54來(lái)源:不詳 作者:電子愛(ài)好者 點(diǎn)擊:次
一、MOS管驅動(dòng)電路綜述在使用MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì )考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路

一、MOS管驅動(dòng)電路綜述

在使用MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì )考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的。

1、MOS管種類(lèi)和結構

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被**成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型，但實(shí)際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。

對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易**。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達驅動(dòng)的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。

MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于**工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些，但沒(méi)有辦法避免，后邊再詳細介紹。

在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅動(dòng)感性負載（如馬達），這個(gè)二極管很重要。順便說(shuō)一句，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在，在集成電路芯片內部通常是沒(méi)有的。

2、MOS管導通特性

導通的意思是作為開(kāi)關(guān)，相當于開(kāi)關(guān)閉合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì )導通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅動(dòng)），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì )導通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅動(dòng)）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動(dòng)，但由于導通電阻大，價(jià)格貴，替換種類(lèi)少等原因，在高端驅動(dòng)中，通常還是使用NMOS。

3、MOS開(kāi)關(guān)管損失

不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會(huì )在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會(huì )減小導通損耗�，F在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

MOS在導通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程，在這段時(shí)間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開(kāi)關(guān)損失。通常開(kāi)關(guān)損失比導通損失大得多，而且開(kāi)關(guān)頻率越快，損失也越大。

導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大�？s短開(kāi)關(guān)時(shí)間，可以減小每次導通時(shí)的損失；降低開(kāi)關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內的開(kāi)關(guān)次數。這兩種辦法都可以減小開(kāi)關(guān)損失。

4、MOS管驅動(dòng)

跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個(gè)很容易做到，但是，我們還需要速度。

在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動(dòng)，實(shí)際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個(gè)電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì )比較大。選擇/設計MOS管驅動(dòng)時(shí)第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

第二注意的是，普遍用于高端驅動(dòng)的NMOS，導通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動(dòng)的MOS管導通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí) 柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專(zhuān)門(mén)的升壓電路了。很多馬達驅動(dòng)器都集成了電荷泵，要注意的是應該 選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動(dòng)MOS管。

上邊說(shuō)的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時(shí)當然需要有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小�，F在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領(lǐng)域里，但在12V汽車(chē)電子系統里，一般4V導通就夠用了。

MOS管的驅動(dòng)電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫(xiě)了。

5、MOS管應用電路

MOS管最顯著(zhù)的特性是開(kāi)關(guān)特性好，所以被廣泛應用在需要電子開(kāi)關(guān)的電路中，常見(jiàn)的如開(kāi)關(guān)電源和馬達驅動(dòng)，也有照明調光。

二、現在的MOS驅動(dòng)，有幾個(gè)特別的應用

1、低壓應用

當使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統的圖騰柱結構，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導致實(shí)際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時(shí)候，我們選用標稱(chēng)gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險。

同樣的問(wèn)題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場(chǎng)合。

2、寬電壓應用

輸入電壓并不是一個(gè)固定值，它會(huì )隨著(zhù)時(shí)間或者其他因素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)導致PWM電路提供給MOS管的驅動(dòng)電壓是不穩定的。

為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內置了穩壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當提供的驅動(dòng)電壓超過(guò)穩壓管的電壓，就會(huì )引起較大的靜態(tài)功耗。

同時(shí)，如果簡(jiǎn)單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會(huì )出現輸入電壓比較高的時(shí)候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時(shí)候gate電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗。容－源－電－子－網(wǎng)－為你提供技術(shù)支持

本文地址：http://0u2438cq.cn/Components/15501118423138.shtml


本文標簽:


.
12下一頁(yè)尾頁(yè)
頂一下
0%
返回首頁(yè)
0
0%

------分隔線(xiàn)----------------------------

    猜你感興趣：

  • PL3902 30V N通道MOSFET


    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：元器件知識

  • TDM3478 N-通道增強模式MOSFET芯片

    概述
    TDM3478使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和低柵極電荷。該設備適用于作為負載開(kāi)關(guān)或在PWM應用程序中使用。
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：集成塊資料

  • HT7181 3.7V/7.4V升16V內置MOS大功率升壓IC解決方案

    DC-DC升壓電路在電子電路中是很常見(jiàn)的，無(wú)論是匹配不同器件的工作電壓需要還是為了提高足夠的輸出功率，都必須用到升壓電路。特別是便攜式的電子產(chǎn)品，電源是電池供電，如單
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：電源電路

  • HT7180 3.7V升12V/2A內置MOS大電流升壓IC解決方案

    針對升壓值13V以下的DC-DC升壓應用需求，推廣一款集成10A開(kāi)關(guān)管的12.8V輸出、大電流非同步DC-DC升壓IC：HT7180。HT7180采用獨到的電路研發(fā)技術(shù)以及先進(jìn)的半導體工藝制程，基于SOP8封裝，工作效率高達90%以上，無(wú)需外加散熱器，3.7V輸入升壓到12V，可穩定輸出2A電流。
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：電源電路

  • HT7179 12V升24V內置MOS大電流升壓IC解決方案

    深圳市永阜康科技有限公司針對大功率的DC-DC升壓應用需求，推廣一款集成15A開(kāi)關(guān)管的26.8V、120W輸出、大電流非同步DC-DC升壓IC-HT7179。HT7179采用獨到的電路研發(fā)技術(shù)以及先進(jìn)的半導體工藝，重載時(shí)高達93%以上的工作效率，無(wú)需外加散熱器，升壓到26.8V，可穩定輸出120W。
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：電源電路

  • MOSFET的擊穿有哪幾種？

    Source、Drain、Gate —— 場(chǎng)效應管的三極：源級S、漏級D、柵級G。（這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿）

    先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結構上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。

    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：元器件知識

  • MOSFET和三極管ON狀態(tài)的區別？

    三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅由Vce來(lái)決定，即不能采用飽和Rce來(lái)表示(因Rce會(huì )變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：元器件知識

  • MOS管驅動(dòng)是指什么

    在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動(dòng)，實(shí)際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個(gè)電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì )比較大。選擇/設計MOS管驅動(dòng)時(shí)要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：元器件知識

  • 光耦驅動(dòng)芯片實(shí)現IGBT驅動(dòng)電路的應用方案

    光耦驅動(dòng)芯片HCPL-316J是Agilent公司［編者注：2014年8月更名為keysight（是德）公司］生產(chǎn)的柵極驅動(dòng)電路產(chǎn)品之一，可用于驅動(dòng)150A/1200V的IGBT，開(kāi)關(guān)速度為0.5？s，有過(guò)流
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：元器件知識

  • PW2308芯片，N溝道增強型MOSFET

    一般說(shuō)明
    PW2308采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運行。該器件適合用作電池保護或其他開(kāi)關(guān)應用。
    特征 VDS=60V，ID=5A
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：元器件知識

  • PW2337芯片，P溝道增強型MOSFET

    一般說(shuō)明
    PW2337采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
    特征
    VDS=-100V，ID=-0.9A
    RDS（開(kāi)）<650m
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：元器件知識

  • PW2309芯片，P溝道增強型MOSFET

    一般說(shuō)明
    PW2309采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
    特征
    VDS=-60V，ID=-3A
    RDS（開(kāi)）<180m&Om
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：元器件知識

  • PW2319芯片P溝道增強型MOSFET

    一般說(shuō)明
    PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
    特征
    VDS=-40V，ID=-5A
    RDS（開(kāi)）<70m&Ome
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：元器件知識

  • IR2110三相橋式電機驅動(dòng)電路

    　　IR2110采用HVIC和閂鎖抗干擾CMOS制造工藝，DIP14腳封裝。具有獨立的低端和高端輸入通道；懸浮電源采用自舉電路，其高端工作電壓可達500V，dv/dt=&plusmn;50V/ns，15V下
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：其他文章

  • IGBT+IR2110驅動(dòng)電路圖

    IGBT+IR2110驅動(dòng)電路圖 　　IR2110驅動(dòng)IGBT電路如圖所示。電路采用自舉驅動(dòng)方式，VD1為自舉二極管，C1為自舉電容。接通電源，VT2導通時(shí)Cy通過(guò)VDt進(jìn)行充電。這種電路適用于驅
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：電子基礎

  • 最簡(jiǎn)單電磁閥驅動(dòng)電路圖（三極管驅動(dòng)）

    最簡(jiǎn)單電磁閥驅動(dòng)電路圖（三極管驅動(dòng)）

    直流電磁閥管路中的流體必須和選用的電磁閥系列型號中標定的介質(zhì)一致。流體的溫度必須小于選用電磁閥的標定溫度。
    　　晶體管（
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：電子基礎

  • 最簡(jiǎn)單電磁閥驅動(dòng)電路圖（三極管驅動(dòng)）

    最簡(jiǎn)單電磁閥驅動(dòng)電路圖（三極管驅動(dòng)）

    直流電磁閥管路中的流體必須和選用的電磁閥系列型號中標定的介質(zhì)一致。流體的溫度必須小于選用電磁閥的標定溫度。
    　　晶體管（
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：led

  • LT3956恒流驅動(dòng)電路圖

    LT3956恒流驅動(dòng)電路圖　LT3956，為作為恒定電流和恒定電壓穩壓器工作而設計。它非常適用于驅動(dòng)大電流LED以及給電池和超級電容器充電。其4.5V至80V輸入電壓范圍使其非常適用
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：集成塊資料

  • 555逆變驅動(dòng)電路圖－最簡(jiǎn)單12v轉220v逆變器制作

    555逆變驅動(dòng)電路圖－最簡(jiǎn)單12v轉220v逆變器制作
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：逆變器電路圖

  • MOSFET管功率放大電路

    　　此電路圖是用功率MOSFET管構成的功率放大器電路。電路中差動(dòng)第二級采用型號為2SJ77的MOSFET，電流鏡像電路采用2SK214。其工作電流為6mA，但電源電壓較高（±50V），晶體管會(huì )發(fā)熱，因此要接入小型散熱器。 :
    關(guān)鍵詞：   所屬欄目：音頻功放電路

發(fā)表評論
請自覺(jué)遵守互聯(lián)網(wǎng)相關(guān)的政策法規，嚴禁發(fā)布色情、暴力、反動(dòng)的言論。
表情:
名稱(chēng): E-mail: 驗證碼: 匿名發(fā)表
發(fā)布文章，推廣自己產(chǎn)品。
国产成人精品免高潮在线观看_免费人成视频观看18_亚洲AV乱码一区二区三区林ゆな_91精品国产91久久久