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MOSFET和三極管ON狀態(tài)的區別?

時(shí)間:2021-04-22 15:19:26來(lái)源:平尚尅 作者:小谷 點(diǎn)擊:
三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區,導通電流Ice主要由Ib與Vce決定,由于三極管的基極驅動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅由Vce來(lái)決定,即不能采用飽和Rce來(lái)表示(因Rce會(huì )變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小,所以三極管一般用飽和Vce表示。
MOSFET和三極管,在ON狀態(tài)時(shí),MOSFET通常用Rds,三極管通常用飽和Vce。

是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況,三極管用飽和Rce,而MOSFET用飽和Vds呢?

三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區,導通電流Ice主要由Ib與Vce決定,由于三極管的基極驅動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅由Vce來(lái)決定,即不能采用飽和Rce來(lái)表示(因Rce會(huì )變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小,所以三極管一般用飽和Vce表示。

MOS管在ON狀態(tài)時(shí)工作于線(xiàn)性區(相當于三極管的飽和區),與三極管相似,電流Ids由Vgs和Vds決定,但MOS管的驅動(dòng)電壓Vgs一般可保持不變,因而Ids可僅受Vds影響,即在Vgs固定的情況下,導通阻抗Rds基本保持不變,所以MOS管采用Rds方式。

電流可以雙向流過(guò)MOSFET的D和S ,正是MOSFET這個(gè)突出的優(yōu)點(diǎn),讓同步整流中沒(méi)有DCM的概念,能量可以從輸入傳遞到輸出,也可以從輸出返還給輸入,能實(shí)現能量雙向流動(dòng)。容-源-電-子-網(wǎng)-為你提供技術(shù)支持

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