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PW2337芯片,P溝道增強型MOSFET

時(shí)間:2021-01-14 16:32:29來(lái)源: 作者: 點(diǎn)擊:
一般說(shuō)明
PW2337采用先進(jìn)的溝道技術(shù),提供優(yōu)秀的RDS(ON),低柵電荷柵極電壓低至4.5V,適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
VDS=-100V,ID=-0.9A
RDS(開(kāi))<650m

一般說(shuō)明
PW2337采用先進(jìn)的溝道技術(shù),提供優(yōu)秀的RDS(ON),低柵電荷柵極電壓低至4.5V,適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
VDS=-100V,ID=-0.9A
RDS(開(kāi))<650mΩ@VGS=-10V
提供3針SOT23-3封裝
應用
電池保護
負荷開(kāi)關(guān)
不間斷電源

 

絕對最大額定值(TA=25℃,除非另有說(shuō)明)

電氣特性

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本文地址:http://0u2438cq.cn/Components/16106131PW2337.shtml


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