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IGBT+IR2110驅動(dòng)電路圖

時(shí)間:2020-08-25 16:07:42來(lái)源: 作者: 點(diǎn)擊:
IGBT+IR2110驅動(dòng)電路圖   IR2110驅動(dòng)IGBT電路如圖所示。電路采用自舉驅動(dòng)方式,VD1為自舉二極管,C1為自舉電容。接通電源,VT2導通時(shí)Cy通過(guò)VDt進(jìn)行充電。這種電路適用于驅

IGBT+IR2110驅動(dòng)電路圖

   IR2110驅動(dòng)IGBT電路如圖所示。電路采用自舉驅動(dòng)方式,VD1為自舉二極管,C1為自舉電容。接通電源,VT2導通時(shí)Cy通過(guò)VDt進(jìn)行充電。這種電路適用于驅動(dòng)較小容量的IGBT.對于IR2110,當供電電壓較低時(shí)具有使驅動(dòng)器截止的保護功能。自舉驅動(dòng)方式支配著(zhù)VT2的導通電壓,因此電壓較低的保護功能是其必要條件。若驅動(dòng)電壓較低時(shí)驅動(dòng)IGBT,則IGBT就會(huì )發(fā)生熱損壞。VD1選用高速而耐壓大于600V的ERA38-06、ERB38-06等二極管。

IR2110 drives IGBT circuit as shown in the figure. The circuit adopts bootstrap drive mode, VD1 is a bootstrap diode, and C1 is a bootstrap capacitor. When the power is turned on, Cy is charged through VDt when VT2 is turned on. This kind of circuit is suitable for driving smaller capacity IGBT. For IR2110, when the power supply voltage is low, it has the protection function of turning off the driver. The bootstrap drive mode dominates the turn-on voltage of VT2, so a lower voltage protection function is a necessary condition. If the IGBT is driven at a low driving voltage, the IGBT will be thermally damaged. VD1 selects diodes such as ERA38-06 and ERB38-06 with high speed and withstand voltage greater than 600V.






IGBT+IR2110驅動(dòng)電路圖

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