六個(gè)可能讓MOS管失效的原因分析(圖文)
目前在市場(chǎng)應用方面，排名第一的是消費類(lèi)電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板、NB、計算機類(lèi)適配器、LCD顯示器
六個(gè)可能讓MOS管失效的原因分析
目前在市場(chǎng)應用方面，排名第一的是消費類(lèi)電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板、NB、計算機類(lèi)適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著(zhù)國情的發(fā)展計算機主板、計算機類(lèi)適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過(guò)消費類(lèi)電子電源適配器的現象了。
第三的就屬網(wǎng)絡(luò )通信、工業(yè)控制、汽車(chē)電子以及電力設備領(lǐng)域了，這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的，特別是現在汽車(chē)電子對于MOS管的需求直追消費類(lèi)電子了。
下面對MOS失效的原因總結以下六點(diǎn)，然后對1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析：
雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOSFET的額定電壓，并且超過(guò)達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。
SOA失效(電流失效)，既超出MOSFET安全工作區引起失效，分為Id超出器件規格失效以及Id過(guò)大，損耗過(guò)高器件長(cháng)時(shí)間熱積累而導致的失效。
體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。
諧振失效：在并聯(lián)使用的過(guò)程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。
靜電失效：在秋冬季節，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。
柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
雪崩失效分析(電壓失效)
到底什么是雪崩失效呢，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線(xiàn)電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統電壓疊加在MOSFET漏源之間，導致的一種失效模式。簡(jiǎn)而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過(guò)其規定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見(jiàn)的失效模式。
下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖，做為電源工程師可以簡(jiǎn)單了解下。
可能我們經(jīng)常要求器件生產(chǎn)廠(chǎng)家對我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析，大多數廠(chǎng)家都僅僅給一個(gè)EAS.EOS之類(lèi)的結論，那么到底我們怎么區分是否是雪崩失效呢，下面是一張經(jīng)過(guò)雪崩測試失效的器件圖，我們可以進(jìn)行對比從而確定是否是雪崩失效。
雪崩失效的預防措施
雪崩失效歸根結底是電壓失效，因此預防我們著(zhù)重從電壓來(lái)考慮。具體可以參考以下的方式來(lái)處理。
合理降額使用，目前行業(yè)內的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點(diǎn)進(jìn)行選取。
合理的變壓器反射電壓。
合理的RCD及TVS吸收電路設計。
大電流布線(xiàn)盡量采用粗、短的布局結構，盡量減少布線(xiàn)寄生電感。
選擇合理的柵極電阻Rg。
在大功率電源中，可以根據需要適當的加入RC減震或齊納二極管進(jìn)行吸收。
SOA失效(電流失效)
再簡(jiǎn)單說(shuō)下第二點(diǎn)，SOA失效
SOA失效是指電源在運行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導致的破壞模式�；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時(shí)達到熱平衡導致熱積累，持續的發(fā)熱使溫度超過(guò)氧化層限制而導致的熱擊穿模式。
關(guān)于SOA各個(gè)線(xiàn)的參數限定值可以參考下面圖片。
受限于最大額定電流及脈沖電流
受限于最大節溫下的RDSON。
受限于器件最大的耗散功率。
受限于最大單個(gè)脈沖電流。
擊穿電壓BVDSS限制區
我們電源上的MOSFET，只要保證能器件處于上面限制區的范圍內，就能有效的規避由于MOSFET而導致的電源失效問(wèn)題的產(chǎn)生。
這個(gè)是一個(gè)非典型的SOA導致失效的一個(gè)解刨圖，由于去過(guò)鋁，可能看起來(lái)不那么直接，參考下。
SOA失效的預防措施：
確保在最差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線(xiàn)以?xún)�。容－源－電－子－網(wǎng)－為你提供技術(shù)支持
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PL3902 30V N通道MOSFET
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晶振定義是什么？晶振怎么分類(lèi)
晶振又稱(chēng)石英晶體振蕩器，晶振是一種利用應時(shí)晶體(石英晶體)的壓電效應制成的諧振器件。
晶振是指從應時(shí)晶體上按一定方位切割下來(lái)的薄片，是時(shí)鐘電路中最重要的元件。晶振的工作原理是在一定狀態(tài)下，機械能和電能可以通過(guò)內部振蕩電路相互轉換。
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TDM3478 N-通道增強模式MOSFET芯片
概述
TDM3478使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和低柵極電荷。該設備適用于作為負載開(kāi)關(guān)或在PWM應用程序中使用。
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案例分享：家用電磁爐元器件散熱方式與導熱材料應用
兆科電子的熱管理材料能夠很好地解決電磁爐電路板和線(xiàn)圈盤(pán)等發(fā)熱元器件在復雜環(huán)境的可靠性和電磁兼容性問(wèn)題。鑒于電磁爐對導熱材料的高導熱需求，兆科主要推薦的材料是導熱硅膠片和導熱硅脂產(chǎn)品來(lái)解決散熱方案。
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HT7181 3.7V/7.4V升16V內置MOS大功率升壓IC解決方案
DC-DC升壓電路在電子電路中是很常見(jiàn)的，無(wú)論是匹配不同器件的工作電壓需要還是為了提高足夠的輸出功率，都必須用到升壓電路。特別是便攜式的電子產(chǎn)品，電源是電池供電，如單
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針對升壓值13V以下的DC-DC升壓應用需求，推廣一款集成10A開(kāi)關(guān)管的12.8V輸出、大電流非同步DC-DC升壓IC：HT7180。HT7180采用獨到的電路研發(fā)技術(shù)以及先進(jìn)的半導體工藝制程，基于SOP8封裝，工作效率高達90%以上，無(wú)需外加散熱器，3.7V輸入升壓到12V，可穩定輸出2A電流。
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HT7179 12V升24V內置MOS大電流升壓IC解決方案
深圳市永阜康科技有限公司針對大功率的DC-DC升壓應用需求，推廣一款集成15A開(kāi)關(guān)管的26.8V、120W輸出、大電流非同步DC-DC升壓IC-HT7179。HT7179采用獨到的電路研發(fā)技術(shù)以及先進(jìn)的半導體工藝，重載時(shí)高達93%以上的工作效率，無(wú)需外加散熱器，升壓到26.8V，可穩定輸出120W。
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MOSFET的擊穿有哪幾種？
Source、Drain、Gate —— 場(chǎng)效應管的三極：源級S、漏級D、柵級G。（這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿）
先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結構上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。
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MOSFET和三極管ON狀態(tài)的區別？
三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅由Vce來(lái)決定，即不能采用飽和Rce來(lái)表示(因Rce會(huì )變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。
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MOS管驅動(dòng)是指什么
在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動(dòng)，實(shí)際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個(gè)電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì )比較大。選擇/設計MOS管驅動(dòng)時(shí)要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
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如何識別正品原裝電子器件
一般正規廠(chǎng)商生產(chǎn)的電子元器件都會(huì )在元器件的空白處標明廠(chǎng)家、元器件編號和生產(chǎn)日期等信息。
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簡(jiǎn)易自制金屬探測器電路圖，只需少量元器件即可制作成
金屬探測器電路圖 金屬探測器可應用很多領(lǐng)域，當然，金屬探測器根據工作原理的不同，也可以分為很多種的類(lèi)型電路，今天我們主要介紹的是用集成電路555制作的金屬探測器，由
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PW2308芯片，N溝道增強型MOSFET
一般說(shuō)明
PW2308采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運行。該器件適合用作電池保護或其他開(kāi)關(guān)應用。
特征 VDS=60V，ID=5A
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PW2337芯片，P溝道增強型MOSFET
一般說(shuō)明
PW2337采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
VDS=-100V，ID=-0.9A
RDS（開(kāi)）<650m
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PW2309芯片，P溝道增強型MOSFET
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PW2309采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
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PW2319芯片P溝道增強型MOSFET
一般說(shuō)明
PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
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場(chǎng)效應晶體管分析解說(shuō)
場(chǎng)效應晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被廣泛應用于各種電子設備中。尤其用場(chǎng)效管做整個(gè)電子設備的輸入級，可以獲得一般晶體管很難達到的性能。
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如何應對電子元器件行業(yè)對環(huán)境的影響
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電子元器件一般到哪里買(mǎi)？
以前商鋪的專(zhuān)業(yè)性應該是一項要考慮的因素，當我們走過(guò)電子專(zhuān)業(yè)商鋪時(shí)，如果發(fā)現玻璃柜中各種各樣的電路板或者各種形狀的電阻接頭時(shí)，我們可以安心地走進(jìn)去購買(mǎi)電路板或者按
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