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介紹單片機硬件抗干擾經(jīng)驗

時(shí)間:2010-06-26 22:18:54來(lái)源:原創(chuàng ) 作者:admin 點(diǎn)擊:
無(wú)

單片機硬件抗干擾經(jīng)驗

在研制帶器的電子產(chǎn)品時(shí),如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?

一、下面的系統要特別注意抗電磁干擾:

1、微控制器時(shí)鐘頻率特別高,總線(xiàn)周期特別快的系統。

2、系統含有大功率,大電流驅動(dòng)電路,如產(chǎn)生火花的繼電器,大電流開(kāi)關(guān)等。

3、含微弱模擬信號電路以及高精度A/D變換電路的系統。

二、為系統的抗電磁干擾能力采取如下措施:

1、選用頻率低的微控制器

  選用外時(shí)鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波,方波中的高頻成份比正弦波多得多。雖然方波的高頻成份的波的幅度,比基波小,但頻率越高越發(fā)射出成為噪聲源,微控制器產(chǎn)生的最有影響的高頻噪聲大約是時(shí)鐘頻率的3倍。
 

2、減小信號傳輸中的畸變
  微控制器主要采用高速CMOS技術(shù)制造。信號輸入端靜態(tài)輸入電流在1mA左右,輸入電容10PF左右,輸入阻抗相當高,高速CMOS電路的輸出端都有相當的帶載能力,即相當大的輸出值,將一個(gè)門(mén)的輸出端通過(guò)一段很長(cháng)線(xiàn)引到輸入阻抗相當高的輸入端,反射問(wèn)題就很?chē)乐,它?huì )引起信號畸變,系統噪聲。當Tpd>Tr時(shí),就成了一個(gè)傳輸線(xiàn)問(wèn)題,考慮信號反射,阻抗匹配等問(wèn)題。

  信號在印制板上的延遲時(shí)間與引線(xiàn)的特性阻抗有關(guān),即與印制線(xiàn)路板材料的介電常數有關(guān)?梢源致缘卣J為,信號在印制板引線(xiàn)的傳輸速度,約為光速的1/3到1/2。微控制器構成的系統中常用邏輯電話(huà)元件的Tr(標準延遲時(shí)間)為3到18ns。

  在印制線(xiàn)路板上,信號通過(guò)一個(gè)7W的電阻和一段25cm長(cháng)的引線(xiàn),線(xiàn)上延遲時(shí)間大致在4~20ns。也說(shuō),信號在印刷線(xiàn)路上的引線(xiàn)越短越好,最長(cháng)不宜超過(guò)25cm。而且過(guò)孔數目也應盡量少,最好不多于2個(gè)。

  當信號的上升時(shí)間快于信號延遲時(shí)間,就要快電子學(xué)。要考慮傳輸線(xiàn)的阻抗匹配,對于一塊印刷線(xiàn)路板上的集成塊的信號傳輸,要避免出現Td>Trd的,印刷線(xiàn)路板越大系統的速度就越不能太快。

用以下結論歸納印刷線(xiàn)路板設計的一個(gè)規則:

信號在印刷板上傳輸,其延遲時(shí)間不應大于所用器件的標稱(chēng)延遲時(shí)間。

3、減小信號線(xiàn)間的交叉干擾
  A點(diǎn)一個(gè)上升時(shí)間為T(mén)r的階躍信號通過(guò)引線(xiàn)AB傳向B端。信號在A(yíng)B線(xiàn)上的延遲時(shí)間是Td。在D點(diǎn),A點(diǎn)信號的向前傳輸,到達B點(diǎn)后的信號反射和AB線(xiàn)的延遲,Td時(shí)間以后會(huì )感應出一個(gè)寬度為T(mén)r的頁(yè)脈沖信號。在C點(diǎn),AB上信號的傳輸與反射,會(huì )感應出一個(gè)寬度為信號在A(yíng)B線(xiàn)上的延遲時(shí)間的兩倍,即2Td的正脈沖信號。這信號間的交叉干擾。干擾信號的強度與C點(diǎn)信號的di/at有關(guān),與線(xiàn)間距離有關(guān)。當兩信號線(xiàn)不是很長(cháng)時(shí),AB上看到的是兩個(gè)脈沖的迭加。

  CMOS工藝制造的微控制由輸入阻抗高,噪聲高,噪聲容限也很高,數字電路是迭加100~200mv噪聲并不影響其工作。若圖中AB線(xiàn)是一模擬信號,這種干擾就變?yōu)椴荒苋萑。如印刷線(xiàn)路板為四層板,其中有一層是大面積的地,或雙面板,信號線(xiàn)的反面是大面積的地時(shí),這種信號間的交叉干擾就會(huì )變小。原因是,大面積的地減小了信號線(xiàn)的特性阻抗,信號在D端的反射大為減小。特性阻抗與信號線(xiàn)到地間的介質(zhì)的介電常數的平方成反比,與介質(zhì)厚度的自然對數成正比。若AB線(xiàn)為一模擬信號,要避免數字電路信號線(xiàn)CD對AB的干擾,AB線(xiàn)下方要有大面積的地,AB線(xiàn)到CD線(xiàn)的距離要大于A(yíng)B線(xiàn)與地距離的2~3倍。局部屏蔽地,在有引結的一面引線(xiàn)左右兩側布以地線(xiàn)。容-源-電-子-網(wǎng)-為你提供技術(shù)支持

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