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包括ASE（AdvancedSemiconductorEngineering），Altera，ADI(AnalogDevices)，LSI，安森美以及高通公司在內的6家半導體公司現已加入了3DIC芯片堆疊技術(shù)啟動(dòng)項目，該消息是由美國半導體制造技術(shù)聯(lián)盟（Sematech）于日前所公布。
去年Sematech宣布建成了首個(gè)300mm規格3DIC試產(chǎn)產(chǎn)線(xiàn)，該產(chǎn)線(xiàn)建在紐約州立大學(xué)納米科學(xué)與工程學(xué)院下屬的奧爾巴尼納米技術(shù)研究中心（CNSE）內，而Sematech的3DIC芯片堆疊技術(shù)研究則是以該研究中心為核心展開(kāi)的。在此之前，除了CNSE之外，已經(jīng)有GlobalFoundries，惠普，Hynix，IBM，Intel，三星以及聯(lián)電幾家公司加入了這個(gè)研究項目。
2010年12月份，Sematech聯(lián)合半導體協(xié)會(huì )(SIA)以及半導體研究協(xié)會(huì )(SRC)一起啟動(dòng)了一項新的3DIC芯片堆疊技術(shù)啟動(dòng)項目，該項目成立的目的是促進(jìn)3DIC技術(shù)的標準化和對異構型3DIC整合技術(shù)進(jìn)行研究。項目的首要目標是確立出一套與3DIC關(guān)鍵技術(shù)如量檢測技術(shù)，芯片鍵合技術(shù)，微凸焊點(diǎn)（microbumping）等有關(guān)的技術(shù)和規格標準。
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