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半導體材料滯后影響IC產(chǎn)業(yè)競爭力
  來(lái)源:轉載網(wǎng)絡(luò )   點(diǎn)擊:2822   時(shí)間:2010-10-25 22:06:56

半導體材料是電子信息產(chǎn)業(yè)基礎的基礎,對整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起著(zhù)重要的支撐作用。近幾年,由于市場(chǎng)需求的不斷擴大、投資環(huán)境的日益改善、優(yōu)惠政策的吸引及全球半導體產(chǎn)業(yè)向中國轉移等等原因,我國集成電路產(chǎn)業(yè)每年都保持30%的增長(cháng)率。

  然而,我國半導體材料仍不能滿(mǎn)足產(chǎn)業(yè)需求。截至2009年年底,我國集成電路所有硅材料的產(chǎn)量只是需求量的60%左右,所缺的40%仍然依賴(lài)進(jìn)口。而且在當今節能減排、保護環(huán)境的大政策下,節能性功率器件及太陽(yáng)能電池所用硅材料市場(chǎng)需求呈幾何級數遞增,3G和無(wú)線(xiàn)寬帶、數字電視以及汽車(chē)電子等行業(yè)的快速發(fā)展仍將進(jìn)一步加大國內對集成電路材料的需求。

  業(yè)內專(zhuān)家表示,我國半導體硅材料行業(yè)生產(chǎn)水平與國際先進(jìn)企業(yè)的生產(chǎn)水平之間的差距是巨大的,我國現在集成電路工藝還處在 0.18μm、0.25μm,而國際先進(jìn)工藝已達到32nm,導致此落后局面的很大一部分原因是由于我國集成電路材料的純度、材料加工的精度還達不到要求。因此,突破國外技術(shù)封鎖,掌握集成電路材料制造的核心技術(shù)是當前國內材料企業(yè)面臨的主要挑戰。

  而我國IC材料生產(chǎn)企業(yè)自身難以承擔建設有競爭力的、大規模的8英寸及12英寸硅片生產(chǎn)線(xiàn)所需的巨額投資,這需要國家和地方政府的大力扶持。因此,他們呼吁,國家應該制定有關(guān)政策鼓勵采用國產(chǎn)材料(如聯(lián)合開(kāi)發(fā)研究、利益成果共享等),使國內半導體材料生產(chǎn)企業(yè)有進(jìn)入半導體用戶(hù)企業(yè)進(jìn)行產(chǎn)品認定、試用的機會(huì )和條件。

  集成電路制造過(guò)程中需要的主要關(guān)鍵原材料有幾十種,這些材料的質(zhì)量和供應直接影響著(zhù)集成電路的質(zhì)量和競爭力。半導體集成電路和半導體分立器件的主要原材料是硅單晶片,而生產(chǎn)硅單晶片的主要原材料是多晶硅。

  近年來(lái),在太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的帶領(lǐng)下,我國多晶硅產(chǎn)量猛增,從2006年的287噸發(fā)展到2009年的20230噸,一舉成為世界多晶硅生產(chǎn)大國之一。然而為滿(mǎn)足國內光伏產(chǎn)業(yè)及IC產(chǎn)業(yè)的需要,多晶硅企業(yè)還應繼續在提高轉換效率,提高副產(chǎn)物循環(huán)利用,實(shí)現清潔生產(chǎn),修訂多晶硅產(chǎn)品標準,制定多晶硅生產(chǎn)節能、排放國家標準。

  除了多晶硅材料,8英寸、12英寸硅片,光刻膠,高純化學(xué)試劑的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)和規;a(chǎn),塑封料、鍵合金絲、引線(xiàn)框架材料等產(chǎn)品技術(shù)水平的提升,新型封裝基板材料的開(kāi)發(fā)研究等都是半導體材料企業(yè)需要進(jìn)一步關(guān)注的重點(diǎn)和努力的方向。

  此外,發(fā)展我國半導體材料產(chǎn)業(yè)還應以企業(yè)為主體,建立面向市場(chǎng)的產(chǎn)、學(xué)、研相結合的生產(chǎn)技術(shù)合作體系;鼓勵對半導體材料共性技術(shù)進(jìn)行聯(lián)合開(kāi)發(fā),同時(shí)積極尋求國際合作,組成研發(fā)聯(lián)合體。

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