大功率場(chǎng)效應管內部在源極和漏極之間反向并聯(lián)有二極管,接成H橋使用時(shí),相當于輸出端已經(jīng)并聯(lián)了消除電壓尖峰用的四個(gè)二極管,因此這里就沒(méi)有外接二極管。輸出端并聯(lián)一個(gè)小電容(out1和out2之間)對降低電機產(chǎn)生的尖峰電壓有一定的好處,但是在使用PWM時(shí)有產(chǎn)生尖峰電流的副作用,因此容量不宜過(guò)大。在使用小功率電機時(shí)這個(gè)電容可以略去。如果加這個(gè)電容的話(huà),一定要用高耐壓的,普通的瓷片電容可能會(huì )出現擊穿短路的故障。
輸出端并聯(lián)的由電阻和發(fā)光二極管,電容組成的電路指示電機的轉動(dòng)方向。
4.性能指標:
電源電壓15~30 V,最大持續輸出電流5A/每個(gè)電機,短時(shí)間(10秒)可以達到10A,PWM頻率最高可以用到30KHz(一般用1到10KHz)。電路板包含4個(gè)邏輯上獨立的,輸出端兩兩接成H橋的功率放大單元,可以直接用單片機控制。實(shí)現電機的雙向轉動(dòng)和調速。
5.布線(xiàn):
大電流線(xiàn)路要盡量的短粗,并且盡量避免經(jīng)過(guò)過(guò)孔,一定要經(jīng)過(guò)過(guò)孔的話(huà)要把過(guò)孔做大一些(》1mm)并且在焊盤(pán)上做一圈小的過(guò)孔,在焊接時(shí)用焊錫填滿(mǎn),否則可能會(huì )燒斷。另外,如果使用了穩壓管,場(chǎng)效應管源極對電源和地的導線(xiàn)要盡可能的短粗,否則在大電流時(shí),這段導線(xiàn)上的壓降可能會(huì )經(jīng)過(guò)正偏的穩壓管和導通的三極管將其燒毀。在一開(kāi)始的設計中,NMOS管的源極于地之間曾經(jīng)接入一個(gè)0.15歐的電阻用來(lái)檢測電流,這個(gè)電阻就成了不斷燒毀板子的罪魁禍首。當然如果把穩壓管換成電阻就不存在這個(gè)問(wèn)題了。
一般功率場(chǎng)效應管的最高柵源電壓為20V左右,所以在24V應用中要保證柵源電壓不能超過(guò)20V,增加了電路的復雜程度。但在12V或更低電壓的應用中,電路就可以大大簡(jiǎn)化。
左圖就是一個(gè)12V驅動(dòng)橋的一邊,上面電路的三極管部分被兩個(gè)二極管和兩個(gè)電阻代替。(注意,跟上圖邏輯是反的)由于場(chǎng)效應管柵極電容的存在,通過(guò) R3,R4向柵極電容充電使場(chǎng)效應管延緩導通;而通過(guò)二極管直接將柵極電容放電使場(chǎng)效應管立即截止,從而避免了共態(tài)導通。容-源-電-子-網(wǎng)-為你提供技術(shù)支持
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