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TLP250引腳功能及應用電路圖

時(shí)間:2019-07-26 09:55:53來(lái)源:容源電子網(wǎng) 作者:電子愛(ài)好者 點(diǎn)擊:
TLP250引腳功能及應用電路圖
TLP250特點(diǎn):
TOSHIBA TLP250由GaAlAs發(fā)光二極管和a組成
集成光電探測器。
該單元采用8引腳DIP封裝。
TLP250適用于IGBT或功率MOS FET的柵

TLP250引腳功能及應用電路圖


TLP250特點(diǎn):
TOSHIBA TLP250由GaAlAs發(fā)光二極管和a組成
集成光電探測器。
該單元采用8引腳DIP封裝。
TLP250適用于IGBT或功率MOS FET的柵極驅動(dòng)電路。
•輸入閾值電流:5mA(最大值)
•供電電流:11mA(最大值)
•電源電壓:10  -  35V
•輸出電流:±1.5A(最大值)
•切換時(shí)間t pLH / t pHL):0.5μs(最大值)
•隔離電壓:2500V rms(min)
•UL認可:UL1577,文件號E67349

TLP250引腳功能


 

 

TLP250的使用特點(diǎn):

①TLP250輸出電流較小,對較大功率IGBT實(shí)施驅動(dòng)時(shí),需要外加功率放大電路;

②由于流過(guò)IGBT的電流是通過(guò)其他電路檢測來(lái)完成的,而且僅僅檢測流過(guò)IGBT的電流,這就有可能對于IGBT的使用效率產(chǎn)生一定的影響,比如IGBT在安全工作區時(shí),有時(shí)出現的提前保護等;

③要求控制電路和檢測電路對于電流信號的響應要快,一般由過(guò)電流發(fā)生到IGBT可靠關(guān)斷應在10μS以?xún)韧瓿桑?/p>

④當過(guò)電流發(fā)生時(shí),TLP250得到控制器發(fā)出的關(guān)斷信號,對IGBT的柵極施加一負電壓,使IGBT硬關(guān)斷。這種主電路的du/dt比正常開(kāi)關(guān)狀態(tài)下大了許多,造成了施加于IGBT兩端的電壓升高很多,有時(shí)就可能造成IGBT的擊穿。

TLP250應用電路圖

 

 

TLP250應用電路圖1


TLP250應用電路圖2

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