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怎樣判斷可控硅極性(簡(jiǎn)單法)

時(shí)間:2009-09-16 13:16:03來(lái)源:原創(chuàng ) 作者:admin 點(diǎn)擊:
無(wú)
  判斷可控硅三個(gè)極的方法很 簡(jiǎn)單,大家都知道,可以根據P-N結的原理,只要用萬(wàn)用表測量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。
陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結,而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通)。


控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大?墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過(guò),因此,有時(shí)測得控制極反向電阻比較小,并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時(shí),萬(wàn)用表應放在R*10或R*1擋,防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。


若測得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,或陽(yáng)極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說(shuō) 明 元 件已 損壞。其實(shí)方法很簡(jiǎn)單,實(shí)踐一下就知道了。容-源-電-子-網(wǎng)-為你提供技術(shù)支持

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