半導體器件型號命名方法--國際電子聯(lián)合會(huì )標準

國際電子聯(lián)合會(huì )標準： 
   德國、法國、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會(huì )半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成，各部分的符號及意義如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6～1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0～1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg＜0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復合材料及光電池使用的材料

第二部分：用字母表示器件的類(lèi)型及主要特征。A-檢波開(kāi)關(guān)混頻二極管、B-變容二極管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開(kāi)放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開(kāi)關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開(kāi)關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩壓二極管。

第三部分：用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、一個(gè)字母加二位數字-表示專(zhuān)用半導體器件的登記序號。

第四部分：用字母對同一類(lèi)型號器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數進(jìn)行分檔的標志。

除四個(gè)基本部分外，有時(shí)還加后綴，以區別特性或進(jìn)一步分類(lèi)。常見(jiàn)后綴如下：
1、穩壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個(gè)字母，表示穩定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數字，表示標稱(chēng)穩定電壓的整數數值；后綴的第三部分是字母V，代表小數點(diǎn)，字母V之后的數字為穩壓管標稱(chēng)穩定電壓的小數值。
2、整流二極管后綴是數字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。
3、晶閘管型號的后綴也是數字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數值較小的那個(gè)電壓值。