PW2319芯片參數
時(shí)間:2021-02-25 16:17:51來(lái)源: 作者: 點(diǎn)擊:次
一般說(shuō)明
PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征 VDS=-40V，ID=-5A RDS（開(kāi)）<70m&Om
PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征 VDS=-40V，ID=-5A RDS（開(kāi)）<70m&Om
PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
- VDS=-40V，ID=-5A
- RDS（開(kāi)）<70mΩ@VGS=-10V
- 提供3針SOT23-3封裝
應用
- 電池保護
- 負荷開(kāi)關(guān)
- 不間斷電源
絕對最大額定值（TA=25℃，除非另有說(shuō)明）
電氣特性
容－源－電－子－網(wǎng)－為你提供技術(shù)支持
非常感謝用戶(hù)kuakewei 的投稿！
本文地址：http://0u2438cq.cn/Components/16142410714226.shtml
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PW2319芯片P溝道增強型MOSFET
一般說(shuō)明
PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（開(kāi)）<70m&Ome
關(guān)鍵詞： 所屬欄目：元器件知識
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