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雙向可控硅調光電路實(shí)例介紹

時(shí)間:2009-12-10 21:27:19來(lái)源:原創(chuàng ) 作者:admin 點(diǎn)擊:次
無(wú)

      本文用一個(gè)臺燈調光實(shí)例說(shuō)明介紹一下雙向可控硅的調光電路，先說(shuō)明一下電路的工作原理，鍵控式調光燈利用兩個(gè)輕觸式按鍵調光，當按下其中一個(gè)按鍵時(shí)，光線(xiàn)就會(huì )由強變弱，如是按下別一個(gè)按鍵時(shí)，光線(xiàn)就會(huì )由弱變強。從而達到調光的目的。



雙向可控硅調光電路原理介紹：


 


 






如圖所示，VD1、VD2、C2、C3組成電容降壓式直流電源，由MOS場(chǎng)效應管、C1等組成雙向可控硅VS的觸發(fā)電路。DW為保護二極管，防止場(chǎng)效應管柵極擊穿。當按下S1時(shí)，由R1向C1充電，使柵極電壓上升，雙向可控硅的觸發(fā)電流上升，導通角變大，光線(xiàn)增加，當按下S2時(shí)，C1沿R2放電，柵極電壓下降，雙向可控硅的導通角變小，光線(xiàn)變暗。當S1、S2都放開(kāi)時(shí)，由于MOS場(chǎng)效應管的柵源電阻很大，C1兩端的電壓將基本不變，所以可控硅的導通角也將不變，光線(xiàn)穩定下來(lái)。場(chǎng)效應管JF的IDSS≥5ｍA，BVDS≥15V，可控硅VS選用1A/400V即可，如3CTS1A等。其它元件無(wú)特殊要求，具體數值已標在圖中。電阻R1、R2的數值決定了電容C1的充放電時(shí)間。在制作時(shí)，若光線(xiàn)變化太快時(shí)，應適當增大R1、R2的數值，反之應減小。電路實(shí)用性非常大，在制作調試時(shí)，要耐心調試，一定會(huì )達到最佳效果。下面是元器件參數表：



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