高頻逆變器后級電路圖大全
中C1，C2分別是Q1，Q2的GD結電容，左邊上下兩個(gè)波形分別是Q1，Q2的柵極驅動(dòng)波形。我們先從t1-t2死區時(shí)刻開(kāi)始分析，從圖中可以看出這段時(shí)間為死區時(shí)間，也就是說(shuō)這段時(shí)間內兩管都不導通，半橋中點(diǎn)電壓為母線(xiàn)電壓的一半，也就是說(shuō)C1，C2充電也是母線(xiàn)電壓的一半。當驅動(dòng)信號運行到t2時(shí)刻時(shí)，Q1的柵極變?yōu)楦唠娖�，Q1開(kāi)始導通，半橋中點(diǎn)的電位急劇上升，C2通過(guò)母線(xiàn)電壓充電，充電電流通過(guò)驅動(dòng)電阻Rg和驅動(dòng)電路放電管Q4，這個(gè)充電電流會(huì )在驅動(dòng)電阻Rg和驅動(dòng)電路放電管Q4上產(chǎn)生一個(gè)毛刺電壓，請看圖中t2時(shí)刻那條紅色的豎線(xiàn)。如果這個(gè)毛刺電壓的幅值超過(guò)了Q2的開(kāi)啟電壓Qth，半橋的上下兩管就共通了。有時(shí)候上下兩管輕微共通并不一定會(huì )炸管，但會(huì )造成功率管發(fā)熱，在母線(xiàn)上用示波器觀(guān)察也會(huì )看到很明顯的干擾毛刺。只有共通比較嚴重的時(shí)候才會(huì )炸管。還有一個(gè)特性就是母線(xiàn)電壓越高毛刺電壓也越高，也越會(huì )引起炸管。
高頻逆變器后級電路圖二：
13腳的邏輯地和2腳的驅動(dòng)地在布線(xiàn)時(shí)要分開(kāi)來(lái)走，邏輯地一般要接到5V濾波電容的負端，再到高壓濾波電容的負端，驅動(dòng)地一般要接到12-15V驅動(dòng)電源的濾波電容的負端，再到兩個(gè)低端高壓MOS管中較遠的那個(gè)MOS的源極。如下圖：
在正弦波逆變器中因為載波的頻率較高，母線(xiàn)電壓也較高，自舉二極管要使用高頻高壓的二極管。因為載波占空比接近100%，自舉電容的容量要按照基波計算，一般需要取到47-100uF，最好并一個(gè)小的高頻電容。
高頻逆變器后級電路圖三：
圖1電路中，由芯片IC1及其外圍電路、三極管VT1、VT3、MOS功率管VT2、VT4以及變壓器T1組成12V直流變換<0u2438cq.cn>為220V/50kHz交流 的逆變電路。由芯片IC2及其外圍電路、三極管VT5、VT8、MOS功率管VT6、VT7、VT9、VT10以及220V/50kHz整流、濾波電路 VD5－VD8、C12等共同組成220V/50kHz高頻交流電變換為220V/50Hz工頻交流電的轉換電路，最后通過(guò)XAC插座輸出220V /50Hz交流電供各種便攜式電器使用。 圖1中IC1、IC2采用了TL494CN（或 KA7500C）芯片，構成車(chē)載逆變器的核心控制電路。TL494CN是專(zhuān)用的雙端式開(kāi)關(guān)電源控制芯片，其尾綴字母CN表示芯片的封裝外形為雙列直插式塑 封結構，工作溫度范圍為0℃-70℃，極限工作電源電壓為7V～40V，最高工作頻率為300kHz。
高頻逆變器后級電路圖四：
圖1電路中IC1的15腳外圍電路的R1、C1組成上電軟啟動(dòng)電路。上電時(shí)電容C1兩端的電壓由0V逐步升高，只有當C1兩端電壓達到5V以上時(shí)，才允許IC1內部的脈寬調制電路開(kāi)始工作。當電源斷電后，C1通過(guò)電阻R2放電，保證下次上電時(shí)的軟啟動(dòng)電路正常工作。
IC1的15腳外圍電路的R1、Rt、R2組成過(guò)熱保護電路，Rt為正溫度系數熱敏電阻，常溫阻值可在150Ω～300Ω范圍內任選，適當選大些可提高過(guò)熱保護電路啟動(dòng)的靈敏度。
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